Une diode laser est un composant opto-électronique à base de matériaux semi-conducteurs.
Elle émet de la lumière monochromatique cohérente (une puissance optique) destinée, entre autres, à transporter un signal contenant des informations (dans le cas d’un système de télécommunications) ou à apporter de l’énergie lumineuse pour le pompage de certains lasers (lasers à fibre, laser DPSS) et amplificateurs optiques (OFA, Optical Fiber Amplifier). La diode laser est un composant essentiel des lecteurs et graveurs de disques optiques, dans ce cas elle émet le faisceau lumineux dont la réflexion sur le disque est détectée par une photodiode ou un phototransistor.
Elle trouve également son application dans les dispositifs électroniques de mesure de distance, de vitesse, de guidage et de pointage précis.
Caractéristiques
Ses caractéristiques sont proches de celles des lasers conventionnels. La plus faible longueur de la cavité, quelques centaines de micromètres au lieu de quelques dizaine de centimètres, entraîne une plus grande divergence du faisceau et des raies d’émission plus éloignées les unes des autres, ce qui facilite la création de lasers monomodes (une seule raie d’émission) par filtrage. Les états énergétiques se répartissent dans la structure de bandes du semi-conducteur à la place d’états énergétiques bien définis dans un gaz, par exemple, impliquant l’émission de raies moins fines.
Les avantages sont sa compacité, sa facilité de modulation à des fréquences élevées, ses faibles tensions de service et puissance consommée grâce à des rendements de l’ordre de 30% au lieu de 3% pour les autres types de laser.
Selon la puissance et la longueur d’onde d’émission de la diode laser, celle-ci peut représenter un réel danger pour la vue et provoquer des brûlures irréparables de la rétine.
Principe de fonctionnement
Comme tout laser, une diode laser fonctionne à l’aide d’un milieu amplificateur (amplification dans les semi-conducteurs par émission stimulée), d’une structure résonante (cavité de Fabry-Pérot ou autre types) et d’un processus de pompage (courant électrique).
Les matériaux composés : Exemple du GaAs
L’émission lumineuse est basée sur le phénomène de l’électroluminescence qui comprend l’émission d’un photon par recombinaison d’une paire électron-trou et le peuplement de la bande de conduction par injection d’un courant. La longueur d’onde d’émission est donnée par l’application du principe de conservation de l’énergie : celle du photon sera approximativement égale à la largeur de la bande interdite du matériau. Un autre principe incontournable de la physique est la conservation du moment lors d’une recombinaison ou d’une absorption ; cela entraîne la nécessité d’utiliser des matériaux dits « à gap direct » : le minimum de la bande de conduction est à la verticale du maximum de la bande de valence dans l’espace des moments. L’arséniure de gallium (GaAs) possède cette propriété et fut le premier utilisé avec succès. On l’appelle un composé binaire III-V car Ga appartient à la colonne III du tableau périodique des éléments et As à la colonne V. Avec une largeur de bande interdite de 1.424 eV, il génère une longueur d’onde de 870 nm.
Structure de base
Une diode laser est une jonction de semi-conducteurs, comme une diode/diode électroluminescente classique. Elle possède trois zones caractéristiques : une couche de confinement de type n, une zone active et une couche de confinement de type p. Les couches de confinement permettent d’optimiser l’utilisation du courant dans la diode et d’augmenter le rendement. La zone active est formée d’un guide d’onde encadrant le lieu de l’émission laser : matériau massif ou quantique (puits, boîtes ou fil). Lorsque cette diode est polarisée en direct, elle laisse passer un fort courant qui peuple la bande de conduction et peut réaliser l’inversion de population. En réalité, une couche intermédiaire d’indice optique supérieur joue le rôle de guide optique, comme dans une fibre. Les extrémités sont clivées et donnent des faces parfaitement planes jouant le rôle de miroirs semi-réfléchissants, créant la cavité résonante. Le dioptre entre le semi-conducteur d’indice 3.5 environ et l’air d’indice 1 possède ainsi un coefficient de réflexion de 30%. Ce coefficient peut être diminué sur les deux côtés par l’application d’un revêtement anti-réfléchissant afin d’obtenir une puissance de sortie plus importante. Suivant le domaine d’application, on ajoute soit une lentille de focalisation par exemple pour les pointeurs ou les lecteurs, soit un asservissement en température ou en courant et une fibre amorce pour les applications télécoms et de spectroscopie. La puce optoélectronique est, dans ce dernier cas, montée sur un radiateur puis sur un module Peltier « butterfly ». Le contact supérieur est connecté à la source de courant par un procédé de bonding.
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